Diseño y Modelado no Lineal de Transistores MOS para Aplicaciones en circuitos integrados de RF.

Objetivo: 
Diseñar y modelar un transistor MOS de alto voltaje (20v) utilizando tecnología estándar.
Innovación: 
La innovación de este proyecto es que utilizando tecnología estándar MOS (para aplicaciones analógicas y digitales) el dispositivo pueda alcanzar frecuencias de corte altas, la cual le permita su aplicación en el campo de la RF.
Aplicaciones: 
Se puede utilizar como un dispositivo de conmutación o bien en amplificadores con una potencia menor a 1 watt.
Trabajo Futuro: 
Hasta el momento se ha logrado alcanzar los voltajes de ruptura y frecuencia de corte de 2.4Ghz por lo que el trabajo futuro consiste en modelar el dispositivo y poder introducir este modelo al software ADS.
Investigador: